Skip to Menu Skip to Search Свържете се с нас. Bulgaria Интернет страници и езици Skip to Content

Сканиращата електронна микроскопия (SEM) и трансмисионната електронна микроскопия (TEM) са стандартни методи за получаване на изображения с цел анализиране на полупроводникови елементи и представляват особено важни инструменти във вашата процедура за контрол на качеството, анализ на повредите или за научноизследователска и развойна дейност.

И двата метода могат да се приложат при напречно сечение, за да се изследва вертикалната структура на елементите. Напречните сечения могат да се извършат по различен начин. Използването на фокусиран йонен лъч (FIB), често в комбинация със сканиращ електронен микроскоп (SEM), като един инструмент, се превръща в най-широко разпространения метод за подготовка.

Напречното сечение с помощта на SEM и TEM е специализирана услуга, предлагана от SGS. Нашият квалифициран персонал работи с висококачествено оборудване, за да предостави изключително подробно изображенията, когато ви е необходимо изображение с по-висока резолюция от тази на оптичен микроскоп.

Ние използваме напречното сечение с помощта на SEM и TEM за много аналитични цели, включително:

  • Анализ на реални неизправности
  • Конструктивен анализ
  • Реверсивна технология

Свържете се със SGS, за да научете повече как напречното сечение с помощта на SEM и TEM може да предостави особено важен инструмент за контрола на качеството на вашия продукт.